Семинар по стеклу

0

Уважаемые коллеги!

Приглашаем вас принять участие в завершающем семинаре по стеклу, который состоится в пятницу,
25 мая, в 14 часов
в Актовом зале ИХС РАН и будет посвящен проблемам гомогенного и гетерогенного зарождения кристаллов в стеклах, а также специфике их роста:

Н.С. Юрицын. Зарождение и рост кристаллов в силикатных стеклах.

Изучение  зарождения и роста кристаллов в стеклах имеет важное значение для разработки новых технологий получения стеклокристаллических материалов. Ввиду высокой вязкости стеклообразующие расплавы являются удобными объектами для детального изучения процессов зарождения и роста кристаллов. Данные по зарождению кристаллов в стеклах служат экспериментальной базой для проверки классической теории нуклеации.
В докладе представлены результаты изучения скоростей гомогенного зарождения и роста кристаллов в натриевокальциевосиликатных стеклах метасиликатного разреза. Привлекаются также данные, полученные для стекол других систем. Обсуждаются в частности следующие вопросы:
— природа зарождающихся кристаллов и их взаимосвязь со строением стекла;
— определение скоростей одновременного зарождения кристаллов двух фаз и особенностей их последующего роста;
— сравнение скоростей роста кристаллов на поверхности и в объеме.
Обсуждаются особенности зарождения кристаллов на поверхности стекла.

Г.А. Сычева.   Зарождение кристаллов в фоточувствительных стеклах.

  1. Впервые проведено определение температурно-временных зависимостей скорости зарождения кристаллов в фоточувствительных стеклах. Получены кинетические зависимости гомогенного и гетерогенного зарождения кристаллов.
  2. Облучение стекол без фоточувствительных примесей не влияет на стационарную скорость зарождения кристаллов ди- и метасиликата лития. Наличие в стеклах фоточувствительных примесей серебра и диоксида церия без облучения не сказывается на зарождении. Зарождение в этих условиях идет по гомогенному механизму, что позволяет проводить сопоставление гомогенного и гетерогенного зарождения в фоточувствительных стеклах. Введение одного диоксида церия без серебра недостаточно для того, чтобы перевести гомогенное зарождение в гетерогенное.
  3. Ультрафиолетовое облучение при заданных дозах излучения требует совместного наличия примесей серебра и диоксида церия (последнего в качестве донора электронов), при рентгеновском излучении достаточно только примеси фоточувствительного металла. Облучение стекол, содержащих фоточувствительные примеси, ведет к гетерогенному зарождению кристаллов.
  4. Проведено количественное сопоставление кинетики гомогенного и гетерогенного зарождения кристаллов ди- и метасиликата лития в фоточувствительных стеклах для слоев, получивших одинаковую дозу излучения. Для этого: предложена и отработана методика определения числа кристаллов в единице объема для облученных образцов, заключающаяся в учете линейных коэффициентов ослабления излучения при установлении глубины слоя, пригодного для количественных оценок, в ходе наблюдения изменения числа кристаллов вдоль торца стекла (от поверхности вглубь образца).
  5. При заданных дозах облучения абсолютные величины максимумов скорости гетерогенного зарождения кристаллов возрастают для дисиликата лития в 400 — 900 раз, для метасиликата лития — в 4 раза. Время нестационарного зарождения не изменяется при переходе от гомогенного к гетерогенному зарождению. Увеличение скорости зарождения тем выше, чем ближе параметры элементарной ячейки катализатора и основной фазы. В условиях гетерогенного зарождения на частицах серебра не происходит смещения температурных зависимостей стационарных скоростей зарождения кристаллов ди- и метасиликата лития.
  6. Исследована кинетика перехода от гетерогенного к гомогенному зарождению. Установлен перелом на кривых зависимостей количества кристаллов от времени термообработки, который интерпретирован как исчерпание частиц катализирующей примеси, действующей в качестве активных центров зарождения.
  7. Обнаружен и детально исследован эффект резкого увеличения скорости зарождения сферолитов дисиликата лития при смещении состава стекла от стехиометрического дисиликата лития в сторону увеличения содержания окиси лития. Полученные кинетические зависимости гомогенного и гетерогенного зарождения кристаллов могут быть использованы при разработке более рациональной технологии ситаллов и фотоситаллов, а также расширяют экспериментальную базу по изучению фазовых превращений в конденсированных системах.

Комментарии закрыты.